企业简介
无锡华润上华科技有限公司 main business:集成电路 and other products. Company respected "practical, hard work, responsibility" spirit of enterprise, and to integrity, win-win, creating business ideas, to create a good business environment, with a new management model, perfect technology, attentive service, excellent quality of basic survival, we always adhere to customer first intentions to serve customers, persist in using their services to impress clients.
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无锡华润上华科技有限公司的工商信息
- 320200400012904
- 91320214739444443B
- 存续（在营、开业、在册）
- 有限责任公司(外商合资)
- 2002年07月16日
- 余楚荣
- 66801.147000
- 2002年07月16日 至 2052年07月15日
- 无锡市新吴区市场监督管理局
- 2017年08月04日
- 无锡国家高新技术产业开发区86.87号地块
- 研究开发设计制造集成电路（包括集成电路测试与封装，光罩制作）、电路模块、微处理机、微处理器、半导体记忆体记忆零组件、新型电子元器件、新型平板显示器件；半导体元器件专用材料的开发生产。（以上不含国家限制、禁止类项目）（依法须经批准的项目，经相关部门批准后方可开展经营活动）
无锡华润上华科技有限公司的专利信息
| 序号 | 公布号 | 发明名称 | 公布日期 | 摘要 |
| 1 | CN103219235B | 一种改善高压器件晶体管漏电的方法 | 2016.10.05 | 本发明提供一种改善高压器件晶体管漏电的方法。该方法包括形成高压器件晶体管的前段器件的步骤，在形成的前 |
| 2 | CN104122756B | 判断光刻版套刻精度一致性的方法和光刻机 | 2016.12.28 | 本发明公开一种判断光刻版套刻精度一致性的方法，在光刻制程中，包括以下步骤：以行间隔或列间隔的方式使用 |
| 3 | CN103377960B | 晶圆缺陷检测方法 | 2016.08.24 | 一种晶圆缺陷检测方法，包括以下步骤：在待检测晶圆的抛光面上覆盖弱透光性材料层，所述抛光面由化学机械抛 |
| 4 | CN103579035B | 缺陷密度计算方法 | 2016.06.15 | 本发明公开了一种缺陷密度计算方法，包括以下步骤：S1、计算晶圆生产线上芯片的产品良率Wafer Yi |
| 5 | CN103105570B | 一种开启电压的测试方法及系统 | 2016.09.07 | 本发明公开了一种开启电压的测试方法及系统，包括：开启电压的粗扫描：快速确定漏端电流第一次大于目标电流 |
| 6 | CN103137531B | 晶圆对位方法 | 2016.09.07 | 本发明提供一种晶圆对位方法。所述方法包括以下步骤：a根据芯片的大小将晶圆划分成多个块；b初步定位晶圆 |
| 7 | CN103035617B | 芯片中模块的失效原因判定方法及晶圆结构 | 2016.08.17 | 芯片中模块的失效原因的判定方法包括以下步骤：在芯片所在的晶圆上设置可定位性测试的测试模块，且测试模块 |
| 8 | CN103489806B | 一种在线监测离子损伤的方法 | 2016.08.03 | 本发明提供一种在线监测离子损伤的方法，属于半导体制造技术领域。该方法包括以下步骤：在晶圆上生成介质层 |
| 9 | CN102931239B | 半导体器件及其制造方法 | 2016.12.21 | 本发明实施例公开了一种半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括：基底；位于所述基底上的PIP电容； |
| 10 | CN103824776B | DMOS器件及其制造方法 | 2016.12.21 | 本发明公开了一种DMOS器件制造方法，包括：提供基底，包括有源区和位于有源区表面上的层间介质ILD层 |
| 11 | CN103545227B | 监控半导体器件中磷硅玻璃层的磷浓度的方法 | 2016.08.17 | 本发明涉及一种监控半导体器件中磷硅玻璃层的磷浓度的方法，包括下列步骤：根据目标磷硅玻璃层的厚度，采用 |
| 12 | CN103165437B | 一种栅氧刻蚀方法和多栅极制作方法 | 2016.06.29 | 本发明提出了一种栅氧刻蚀方法以及多栅极制作方法。该栅氧刻蚀方法通过控制BOE的过刻时间，使BOE的过 |
| 13 | CN103966573B | 用于PECVD薄膜沉积的气体反应装置和方法 | 2016.12.28 | 一种用于PECVD薄膜沉积的气体反应装置，包括：进气管、气体混合器、两个以上的出气管及流量控制器；所 |
| 14 | CN101388329A | 消除芯片表面水汽的方法 | 2009.03.18 | 本发明涉及一种消除芯片表面水汽的方法，目的是提供可以消除芯片表面水汽，又不对芯片功能产生不利影响的方 |
| 15 | CN105990173A | 焊盘厚度监测方法以及具有焊盘厚度监测结构的晶圆 | 2016.10.05 | 本发明公开了一种焊盘厚度监测方法，包括以下步骤：提供位于晶圆测试区的半导体基底；在半导体基底上形成金 |
| 16 | CN103928361B | 一种监测芯片保护区图案偏移的方法 | 2016.12.28 | 本发明公开了一种监测芯片保护区图案偏移的方法，设定一个允许的尺寸范围，通过在光阻上量测芯片保护区的光 |
| 17 | CN103515224B | 多晶硅在离子注入后的快速退火方法 | 2016.12.21 | 本发明提供一种多晶硅在离子注入后的快速热退火（Rapid Thermal Anneal，RTA）方法 |
| 18 | CN103792473B | 一种栅极开启电压的测量方法 | 2016.12.21 | 一种栅极开启电压的测量方法，该测量方法通过在执行跨导法测量开启电压前，先利用一个比较子程序将小于参考 |
| 19 | CN103823408B | 半导体设备机台质量监控方法及系统 | 2016.12.21 | 本发明公开了一种半导体设备机台质量监控方法及系统，该方法包括：S1、自动获取前一次工艺中机台质量监控 |
| 20 | CN103390546B | 一种多晶硅栅电极的离子注入方法 | 2016.12.14 | 本发明提供一种多晶硅栅电极的离子注入方法，属于半导体制造技术领域。在该方法中，设置所述离子注入的能量 |
| 21 | CN103165611B | 只读存储器及其制作方法 | 2016.12.14 | 一种只读存储器，包含若干个阵列排布的存储单元。只读存储器包含两种不同结构的存储单元；两种存储单元分别 |
| 22 | CN103377954B | 栅极焊盘和源极焊盘的形成方法 | 2016.12.14 | 本发明涉及一种栅极焊盘和源极焊盘的形成方法，包括物理气相淀积在晶圆上形成栅极焊盘和源极焊盘的铜铝合金 |
| 23 | CN106597818A | 对位标记、形成对位标记的方法及半导体器件 | 2017.04.26 | 本发明涉及一种对位标记，在光刻工艺中形成于介质层，介质层包括：位于多晶硅层上的第一介质层和位于两个金 |
| 24 | CN106569395A | 测量曝光机台漏光的光掩膜及方法 | 2017.04.19 | 本发明涉及一种测量曝光机台漏光的光掩膜及方法，该测量曝光机台漏光的方法先后利用测量曝光机台漏光的光掩 |
| 25 | CN106569386A | 光罩及利用所述光罩进行多芯片同时制备的方法 | 2017.04.19 | 本发明涉及一种光罩，包括至少两个芯片区域，以及位于各个芯片区域之间、用于将芯片区相互隔离开的芯片隔离 |
| 26 | CN104425301B | 一种监测光刻胶粘结层HMDS异常的方法 | 2017.04.12 | 本发明公开了一种监测光刻胶粘结层HMDS异常的方法，其中：在两个硅片上分别生长氧化硅层，并测量各自厚 |
| 27 | CN104377131B | 一种高压器件的低压区的制备方法 | 2017.04.12 | 本发明公开一种高压器件的低压区的制备方法。该制备方法包括以下步骤：提供基底，该基底包括高压区和低压区 |
| 28 | CN106558486A | 去除半导体基片掩膜层的方法 | 2017.04.05 | 一种去除半导体基片掩膜层的方法，首先对基片正面进行减薄工艺，去除部分的第一掩膜层；然后再对基片进行湿 |
| 29 | CN106556973A | 光刻方法 | 2017.04.05 | 本发明涉及一种光刻方法，包括步骤：在晶圆的待刻蚀层表面涂覆第一厚度的光刻胶；对涂覆有光刻胶的晶圆进行 |
| 30 | CN104241120B | 防止硅片边缘黏附层脱落的方法 | 2017.03.22 | 一种防止硅片边缘黏附层脱落的方法，其包括如下步骤：准备硅片，该硅片经过通孔形成工艺在二氧化硅层中形成 |
| 31 | CN106531685A | 层间介质层及其层内接触孔的刻蚀方法 | 2017.03.22 | 本发明涉及一种层间介质层和层间介质层内接触孔的刻蚀方法，利用双刻蚀阻挡层结构，可以减少各区域厚度不同 |
| 32 | CN104112685B | 浅沟道隔离区内的空洞检测方法 | 2017.03.22 | 一种浅沟道隔离区内的空洞检测方法，其检测划片槽内最小线宽小于晶片内最小线宽的划片槽图形的浅沟道隔离区 |
| 33 | CN103077882B | 一种改善晶片良率的工艺控制方法和系统 | 2017.03.15 | 本发明公开了一种改善晶片良率的工艺控制方法，包括：判断当前批次晶片的下两个步骤即第一步骤和第二步骤的 |
| 34 | CN106486417A | 提升晶边良率的方法 | 2017.03.08 | 本发明涉及一种提升晶边良率的方法，包括以下步骤：提供晶圆衬底；在晶圆衬底上涂胶形成第一光刻胶层，并进 |
| 35 | CN103792430B | 自适应量程电阻测试方法 | 2017.02.22 | 本发明公开了一种自适应量程电阻测试方法，包括以下步骤：S1、在电阻上通入电流I<sub>a</sub |
| 36 | CN104103479B | 磁分析器 | 2017.02.15 | 本发明公开了一种磁分析器，包括轭铁和设于轭铁外的磁铁，所述轭铁包围形成的离子飞行管道内设有束板，所述 |
| 37 | CN104022067B | 熔丝工艺的返工方法 | 2017.02.08 | 本发明公开了一种熔丝工艺的返工方法，包括下列步骤：在出现了异常熔丝、需要进行熔丝工艺返工的晶圆表面淀 |
| 38 | CN103972082B | 一种防止图案缺失的方法及其晶圆制造方法 | 2017.02.08 | 本发明公开了一种防止图案缺失的方法，尤其是防止掩膜层图案缺失的方法，依次包括：在晶圆的一个表面上生长 |
| 39 | CN103137562B | 一种消除硅凹坑的方法 | 2017.02.08 | 本发明公开了一种消除硅凹坑的方法，该方法包括：离子化金属等离子注入和湿法腐蚀步骤，其特征在于：在所述 |
| 40 | CN104347443B | 一种晶圆套刻的水平方向突变的测试方法 | 2017.02.08 | 一种晶圆套刻的水平方向突变的测试方法，用于晶圆光刻机台，步骤是：1，制作套刻标准片，标准片上具有多个 |
| 41 | CN103962345B | 晶圆的碎屑的清除方法 | 2017.02.08 | 本发明公开了一种晶圆的碎屑的清除方法，包括如下步骤：步骤一、在沾染了碎屑的晶圆上涂覆一层光刻胶；步骤 |
| 42 | CN104074769B | 离心泵抽水系统 | 2017.02.08 | 一种离心泵抽水系统，用于改进离心泵的吸上真空度，包括吸水室、叶轮、压水室、气嘴，还包括吸入管。上述离 |
| 43 | CN103995222B | 开关管的开启电压测试方法 | 2017.02.01 | 本发明公开一种开关管的开启电压测试方法，包括如下步骤：设定初始的测试电压上限、测试电压下限以及目标电 |
| 44 | CN106328582A | 金属层间介质膜层的形成方法及HDPCVD方法 | 2017.01.11 | 本发明涉及一种金属层间介质膜层的形成方法及HDPCVD方法，所述金属层间介质膜层的HDPCVD方法采 |
| 45 | CN106328500A | 钨膜的沉积方法 | 2017.01.11 | 本发明公开了一种钨膜的沉积方法，包括以下步骤：提供基底；以硅的气态化合物作为气源进行化学气相沉积，形 |
| 46 | CN103943607B | 划片槽条宽测试结构及方法 | 2016.11.30 | 本发明公开了一种划片槽条宽测试结构，包括相互垂直的第一疏条和第二疏条，还包括第一场区图样，所述第一场 |
| 47 | CN106154758A | 不同光刻机之间的套刻匹配方法 | 2016.11.23 | 本发明涉及一种不同光刻机之间的套刻匹配方法，包括以下步骤：提供掩膜版；掩膜版上形成有掩膜图案，掩膜图 |
| 48 | CN106158644A | 半导体器件的栅极结构及防止其产生空洞的方法 | 2016.11.23 | 本发明涉及一种半导体器件的栅极结构及防止其产生空洞的方法，所述方法包括下列步骤：在半导体衬底上淀积并 |
| 49 | CN106033732A | 接触孔侧壁金属元素含量监测方法及晶圆 | 2016.10.19 | 本发明公开了一种接触孔侧壁金属元素含量监测方法，包括以下步骤：提供形成于晶圆测试区的半导体基底；在所 |
| 50 | CN102915951B | 连接孔的制作方法 | 2016.09.21 | 本发明公开一种连接孔的制作方法，包括如下步骤：提供半导体基底，所述半导体基底上形成有待刻蚀层；刻蚀所 |
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